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Si1300BDL
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
10
5.0
4.0
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
3.0
0.1
2.0
0.01
0.001
1.0
0.0
T A = 25 °C
T A = 125 °C
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Forward Diode Voltage vs. Temperature
I D = 250 μA
10
8
6
4
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
R DS(on) vs. V GS vs. Temperature
T A = 25 °C
0.4
2
0.3
0.2
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
10
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1
Limited by R DS(on) *
10 μs, 100 μs
0.1
1 ms
10 ms
100 ms
1s
0.01
T A = 25 °C
Single Pulse
10 s
100 s
BVDSS Limited
0.001
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
www.vishay.com
4
* V GS
minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
Document Number: 73557
S11-2000-Rev. D, 10-Oct-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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